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不同材料（例：對光波長的吸收、成本、面積......等等）。
      第二代薄膜太陽能電池以薄膜製程來製造電池，種類可分為碲化鎘（Cadmium Telluride

CdTe）、銅銦硒化物（Copper Indium Selenide CIS）、銅銦鎵硒化物（Copper Indium Gallium
Selenide CIGS）、砷化鎵。

      第三代電池與前代電池最大的不同是製程中導入有機物和奈米科技。種類有光化學太陽
能電池、染料光敏化太陽能電池、高分子太陽能電池、奈米結晶太陽能電池。

      第四代則針對電池吸收光的薄膜做出多層結構。
某種電池製造技術，並非僅能製造一種類型的電池，例如在多晶矽製程，既可製造出矽晶版
類型，也可以製造薄膜類型。

         表 2 為太陽能電池四個世代

 世代  觀念                                                                    種類
第一代
                         單晶矽（Monocrystalline Silicon）、多晶矽
第二代
     基板矽晶                （ Polycrystalline Silicon ） 、 非 晶 矽
第三代
第四代                      （Amorphous Silicon）

                         碲化鎘（Cadmium Telluride CdTe）、銅銦硒

     薄膜（Thin Film）       化物（Copper Indium Selenide CIS）、銅銦
                         鎵硒化物（Copper Indium Gallium Selenide

                         CIGS）、砷化鎵

     新觀念研發（New Concept）  光化學太陽能電池、染料光敏化太陽能電池、
                         高分子太陽能電池、奈米結晶太陽能電池

     複合薄膜材料              多晶矽製程製造薄膜類型

2-2 單晶體與多晶體

一、單晶體
      一般使用在大面積電力轉換的發電系統或太空衛星電力上，成本比較高。也是使用時間

最長久的太陽能板類型。其轉換效率亦為目前所有類型之太陽能板中最高的（20-25%左右），
性能穩定，單晶矽的生產過程與半導體使用的單晶矽相同，都要透過緩慢的長晶過程，所以
單晶矽是圓形的（為了製作方便，晶柱會切成正方形，所以一般市售之太能板會留有四個圓
角）。單晶矽與多晶矽是將矽的結晶鑄塊切成薄片，然後製成半導體元件並進行鋪設，非晶矽
則是在玻璃基板上真空蒸鍍非晶矽，形成薄薄的矽層來製造的薄膜型太陽能電池，如圖 2-6
所示。

                                                         圖 2-6 為單晶體實體圖
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